上海：到 2030 年未來產業產值達到 5000 億元左右，積極推動非硅基半導體材料技術研究和佈局

金融界 10 月 11 日消息 上海市人民政府印發《上海打造未來產業創新高地發展壯大未來產業集羣行動方案》。方案提出，到 2030 年，在未來健康、未來智能、未來能源、未來空間、未來材料等領域湧現一批具有世界影響力的硬核成果、創新企業和領軍人才，未來產業產值達到 5000 億元左右。打造 5 個未來產業集羣，建設 15 個左右未來產業先導區，攻關 100 個左右核心部件，推出 100 件左右高端產品，形成 100 項左右中國標準，促進產業集聚引領發展。

加速非侵入式腦機接口技術、腦機融合技術、類腦芯片技術等領域突破

方案提出，在浦東、寶山、閔行、金山、奉賢等區域，提升 “張江研發 + 上海製造” 承載能力，打造未來健康產業集羣。加速非侵入式腦機接口技術、腦機融合技術、類腦芯片技術、大腦計算神經模型等領域突破。加強腦工程學、腦神經信息學、人工神經網絡等基礎研究，推動類腦芯片、類腦微納光電器件、類腦計算機、神經接口、智能假體等研發創新。突破新型微生物、病原體快速鑑定和短期規模化檢測、科學追蹤溯源等關鍵技術。推動新型疫苗、抗體及分子、免疫診斷等共性技術研發轉化，開發具有自主知識產權的重大傳染病防治藥物，構建生物安全產業體系。

突破 XR 關鍵技術 加快 XR 終端產品和應用軟件開發

同時要求突破 XR 關鍵技術，推動近眼顯示、感知交互技術、渲染計算技術、雲內容製作分享技術等突破。加快 XR 終端產品和應用軟件開發，推動新一代通信網絡（NGN）+XR 融合創新，發展軟硬一體的智能交互設備產業鏈。構建 XR 科技應用場景，加快在教育培訓、醫療健康、工業製造、體育娛樂等行業應用。圍繞量子計算、量子通信、量子測量，積極培育量子科技產業。攻關量子材料與器件設計、多自由度量子傳感、光電聲量子器件等技術，在硅光子、光通訊器件、光子芯片等器件研發應用上取得突破。

積極推動非硅基半導體材料技術研究和佈局

方案還提到，推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體化合物發展，持續提升寬禁帶半導體化合物晶體制備技術能級和量產規模，積極佈局寬禁帶半導體晶圓製造工藝技術，增強寬禁帶半導體芯片產品設計能力，擴大產品應用領域。積極推動石墨烯、碳納米管等碳基芯片材料，半導體二維材料等未來非硅基半導體材料技術研究和佈局。