三星野心勃勃！未來五年將在芯片等戰略領域投入 3600 億美元

5 月 24 日週二，三星電子表示，未來五年內將投資 450 萬億韓元（約 3600 億美元），以加速半導體、生物製藥和其他下一代技術的發展，應對日益嚴重的經濟和供應衝擊。

該集團在聲明中表示，80% 的投資（360 萬億韓元）將用於韓國國內，其餘將投向海外。目前，三星集團旗下的三星電子正在美國德克薩斯州建造一座耗資 170 億美元的先進芯片工廠。上週，美國總統拜登訪問韓國時在三星電子副會長李在鎔陪同下參觀了該公司一家最先進的芯片製造工廠。

新一輪的投資計劃包含了三星於 2021 年 8 月做出的 240 萬億韓元（約 2050 億美元）投資承諾。華爾街見聞提及，三星 2021 年制定的新三年投資計劃較 2018 至 2020 年間大幅提升，芯片、醫療和電動車等前沿領域為該計劃的重點發力方向。

三星在聲明中還表示，這筆高額投資將直接創造 8 萬個就業崗位，主要集中於半導體和生物製藥領域。作為韓國最大的企業集團，擁有三星電子和三星生物製劑等子公司的 “三星帝國” 是韓國經濟的重要支撐。

值得注意的是，本次公告中，三星在並未將電動汽車電池當做未來的增長引擎。

週一，三星電子收於 66500 韓元，今年以來股價已下跌了超 15%。

芯片業務趕超台積電？

作為目前全球第二大的芯片供應商，三星一直在致力於提升自己的行業地位。在台積電 3nm 先進製程進展順利、英特爾代工業務持續推進的背景下，此番斥巨資加強芯片領域的投資，有望令三星在激烈的芯片競爭格局下保持競爭力。

值得一提的是，啓用 GAA 技術打造 3nm 節點的三星，搶先台積電於 5 月 23 日首次公開了 3nm 工藝製造的 12 英寸晶圓。作為一種可顯著增強晶體管性能的技術，GAA 技術是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備製造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋 - 通道場效應管），主要取代 FinFET 晶體管技術。

由於台積電的 3nm 工藝不會採取該技術，因此，三星在 3nm 節點上的表現也是決定三星能否在芯片工藝趕超台積電的關鍵。