Is the "Ceiling" for Memory Chip Price Hikes Approaching?

存儲芯片價格上漲的勢頭正在明顯減速。伯恩斯坦最新數據顯示，2026 年第三季度 DRAM 和 NAND 合約價格環比漲幅均收窄至約 20%，較第二季度大幅放緩，且可能低於市場最新預期。供應短缺局面雖將延續至 2027 年，但漲價空間正受到需求端阻力與長期協議價格上限的雙重壓制。

據追風交易台，據機構伯恩斯坦 7 月存儲價格追蹤報告，7 月合約價格數據顯示，傳統 DRAM 第三季度環比漲幅約為 17%，略高於該機構自身模型預測，但可能低於市場部分最新預期。NAND 方面，若將 SSD 納入計算，整體漲幅接近 20%，與模型基本吻合，但同樣可能不及最樂觀預期。

伯恩斯坦分析師 Mark Li 在報告中指出，存儲正逐漸成為 AI 及非 AI 應用的成本負擔，部分長期協議（LTA）中設定的價格上限也在抑制進一步漲價空間。他認為，近期股價回調為短期技術性反彈提供了機會，但價格上行空間已趨於有限。

DRAM：服務器需求強勁，但 PC 與手機端阻力加劇

DRAM 市場內部分化明顯。

服務器需求依然旺盛，客户預判 2027 年供應將進一步趨緊，積極備貨意願強烈。據 TrendForce 數據，7 月服務器 DRAM 合約價格環比上漲 8% 至 15%，預計第三季度整體環比漲幅為 13% 至 18%。不過，對於已簽訂含價格上限 LTA 的客户，7 月價格已接近協議天花板，與非 LTA 客户的報價出現明顯差距。

PC 和手機端則呈現截然不同的態勢。PC DRAM 合約價格 7 月環比上漲 13% 至 16%，預計第三季度環比漲約 17%，但 OEM 廠商因內存成本上升而上調整機售價，導致 PC 出貨量預計第三季度環比下滑逾 10%，採購意願隨之大幅降低。

手機 DRAM 方面，TrendForce 預計第三季度合約價格環比漲幅約為 10%，較第二季度明顯收窄，手機 OEM 客户削減智能手機生產計劃後，對漲價的牴觸情緒顯著增強。展望第四季度，TrendForce 預計手機 DRAM 漲幅將進一步收窄至個位數。

消費類 DRAM 表現相對突出，7 月合約價格環比上漲 12% 至 16%，預計第三季度環比漲幅達 24% 至 30%。但 TrendForce 觀察到現貨價格已開始落後於合約價格，暗示需求可能正在見頂。

NAND：晶圓價格漲勢熄火，SSD 成為主要支撐

NAND 市場的分化更為明顯。

晶圓合約價格 7 月基本持平，模組廠商因消費端需求疲軟而拒絕接受進一步漲價，交易量極度萎縮。TrendForce 指出，在當前消費需求低迷的背景下，模組廠商認為 NAND 晶圓價格已偏高，更傾向於消化自有庫存。

手機 NAND（eMMC/UFS）表現相對較好，TrendForce 預計第三季度環比漲幅約為 20%，主要是追趕 eSSD 盈利水平的補漲邏輯驅動。值得注意的是，中國供應商在此輪漲價中要價較低，因而贏得了更多出貨份額。

SSD 是 NAND 板塊的核心支撐。伯恩斯坦認為，客户端及企業級 SSD 合約價格第三季度環比漲幅約為 20%，將 NAND 整體漲幅拉昇至接近 20%。但該機構同時指出，NAND 價格漲勢將持續放緩，峯值或出現在 2027 年某個時間點，且中國競爭加劇構成結構性壓力。

短期反彈窗口存在，但上行空間趨於有限

伯恩斯坦維持對三星電子、SK 海力士、美光及閃迪的"跑贏大市"評級，目標價分別為韓元 44 萬、韓元 330 萬、1300 美元及 3000 美元；對 KIOXIA 維持"跑輸大市"評級，目標價為日元 4 萬。

該機構認為，存儲供應短缺局面將延續至 2027 年，價格將維持高位，但進一步上漲的空間已受到明顯壓縮。

一方面，PC 和手機客户庫存穩定甚至上升，大幅削減出貨計劃後對漲價的接受度大幅下降；另一方面，部分 LTA 協議中嵌入的價格上限正在限制服務器 DRAM 的漲價幅度。此外，存儲成本的持續攀升已開始對 AI 及非 AI 應用形成負擔，需求端的承壓跡象不容忽視。

伯恩斯坦指出，近期存儲股的回調為短期技術性反彈提供了入場機會，但投資者需警惕漲價週期進入尾聲階段的風險——價格高位或已可見，而非遙不可及。

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