Wall Street Turns Universally Bullish: ASML Capacity Surges, Putting the Memory "Peak Theory" to Rest!

ASML 交出一份远超预期的二季度成绩单，并大幅上调全年指引，同时罕见地给出 2027 至 2028 年产能扩张路线图，直接回应了市场对 AI 驱动需求能否持续的核心疑虑。华尔街主要投行随即集体发声，高盛、摩根大通、巴克莱等机构一致维持或重申买入评级，认为此次业绩彻底验证了 AI 供应瓶颈论，并对内存价格"2028 年见顶"的看空叙事构成有力反驳。

ASML 二季度营收 93 亿欧元，超彭博市场共识 89 亿欧元，毛利率 54% 大幅领先 51%-52% 的指引区间。公司随即将 2026 年全年营收指引从 360 亿至 400 亿欧元上调至 430 亿至 450 亿欧元，中位数较市场共识高出约 11%；全年毛利率指引亦上调至 54%-56%。更关键的是，管理层明确表示将在 2027 年和 2028 年分别扩大约 30% 的低数值孔径 EUV 及浸没式 DUV 产能，这一表态直接触发市场对 2028 年盈利预期的大幅上修。

消息公布后，ASML 阿姆斯特丹股价上涨约 4%，纳斯达克 100 指数期货同步上涨约 40 个基点。SK Hynix 首尔上市股票单日飙升 8.8%，补涨此前其美国存托凭证 27% 的涨幅。高盛维持买入评级，12 个月目标价 2000 欧元，较当前股价隐含约 29% 上行空间；摩根大通同样维持增持，目标价 1900 欧元。

业绩全面超预期，三季度指引更令市场惊喜

ASML 二季度各项核心财务指标均超出市场预期。据高盛研报，二季度营收 93.27 亿欧元，较市场共识高出 6%；息税前利润 34.56 亿欧元，超出共识 13%；每股收益 7.58 欧元，超出共识约 11%。毛利率 54% 不仅远超指引上限，亦较市场共识高出约 230 个基点。

三季度指引同样大幅超出预期。公司预计三季度营收 110 亿至 120 亿欧元，中位数较市场共识高约 11%；毛利率指引 55%-57%，意味着三季度息税前利润将较市场共识高出约 26%。据摩根大通研报，三季度营收中位数 115 亿欧元较共识高 12%，毛利率中位数 56% 较共识高 350 个基点。

摩根大通分析师 Sandeep Deshpande 指出，此次业绩超预期部分由已安装基础管理（IBM）业务驱动，该业务收入较预期高出约 3 亿欧元，软件主导的生产力升级及 EUV 服务安装基础的持续扩大，预计将推动该业务今年实现逾 30% 的增长，为毛利率提供额外支撑。

产能扩张路线图超出买方预期，2028 年盈利潜力大幅重估

此次业绩最受市场关注的，是管理层对 2027 至 2028 年产能扩张的明确表态。ASML 表示，将在 2026 年约 65 台低数值孔径 EUV 产能基础上，于 2027 年扩产约 30% 至约 85 台，并正在研究 2028 年再扩产 30% 至约 110 台。与此同时，DUV 浸没式产能亦将从 2026 年约 130 台扩至 2027 年约 169 台，2028 年进一步扩至约 220 台。

据高盛测算，上述产能规划意味着 2027/2028 年低数值孔径 EUV 出货量将达 85/110 台，远超市场共识的 85/89 台；浸没式 DUV 出货量将达 169/220 台，同样大幅超出共识的 137/146 台。

摩根大通指出，2028 年产能指引已超出该行此前作为卖方最高预测的水平。据粗略测算，若上述产能规划落地，ASML 2028 年每股收益将超过 65 欧元，叠加已安装基础管理业务的强劲势头，实际盈利或更高。高盛交易台评论亦指出，2028 年约 110 台的 EUV 产能目标已落入"超级乐观区间"（110 至 120 台），远超卖方约 89 台的共识预期。

高盛表示，ASML 已基本锁定 2027 年所需的大部分 EUV 订单，并已收到相当数量的 2028 年订单，管理层将订单接收情况描述为"极为强劲"。

AI 需求加速，逻辑与内存双线扩张

管理层明确表示，AI 驱动的需求在逻辑芯片和内存两大领域持续强化，支撑客户在先进制程节点进一步扩产。在先进逻辑领域，ASML 指出客户正同步在 5/4/3 纳米节点增加产能以满足 AI 需求，同时尽可能激进地推进 2 纳米量产，并开始为 1.4 纳米制程过渡做准备。公司预计 2026 年先进逻辑营收同比增长约 25%。

内存方面，ASML 表示 DDR 和 HBM 供应偏紧正推动客户加速投资，EUV 及先进浸没式光刻强度的提升进一步拉动设备需求。公司预计 2026 年内存营收同比增长约 75%。

高盛交易台评论指出，随着内存市场向 HBM4/HBM5 及传统服务器 DRAM 所需的先进 1c/1d 纳米节点过渡，内存制造正经历根本性的范式转变。1c DRAM 的 EUV 层数已增至五层以上，而 1d 和 0a 代计划在所有层中全面采用 EUV 技术。深紫外光多次图形化工艺已触及物理极限，ASML 因此成为这一结构性转型的主要受益者。

高盛进一步指出，HBM 所需的晶圆强度远高于传统 DRAM，这种双重扩张正严重挤压全球晶圆厂产能，推动内存价格在更长时间内保持高位。鉴于向先进节点过渡的结构性复杂性，那些预测内存价格将在 2028 年前见顶或供应缺口将显著缓解的看空论点"听起来为时过早"。

华尔街集体背书，分歧仅在于 2027 年指引是否足够激进

多家主要投行在业绩发布后迅速发表正面评价，但对 2027 年 EUV 产能指引的解读存在细微分歧。

巴克莱分析师 Simon Coles 表示，ASML 给出了投资者所期待的大部分内容，2027 和 2028 年低数值孔径 EUV 产能指引应能减少市场对公司是否受供应约束的争议，并指出上半年低数值孔径 EUV 订单金额可能高达 220 亿欧元，达到历史纪录水平。

摩根大通的 Sandeep Deshpande 认为，尽管公司未能在 2027 年达到 90 台 EUV 产能，但"我们认为这无关紧要"，因为 2028 年 EUV 及 DUV 产能指引远超预期，且 2026 年营收增速约 35% 已超出当前市场对晶圆厂设备行业整体增速的预期，公司实际上已在引导未来两年约 30% 的增长。

摩根士丹利分析师 Lee Simpson 则指出，尽管公司不再披露订单数据，但管理层表示上半年订单接收持续"非常强劲"，客户正寻求加速产能扩张，这预示着 2027 年销售势头强劲。

Jefferies 分析师 Janardan Menon 持相对审慎立场，认为公司展望评论喜忧参半，已安装基础管理业务销售额及毛利率的强劲增长尤为积极，但 2027 年 EUV 指引低于近期大幅攀升的市场预期。

Oddo BHF 则预计市场共识盈利预测将上调约 20%，并表示"ASML 仍是无可匹敌的技术主导地位的故事，现在受益于 AI 驱动的根本不同的周期"。