
特朗普政府施壓,SK 海力士在美選址建廠,崔泰源:條件合適就投資!
SK 海力士會長崔泰源首度公開表態正在全球物色存儲晶圓廠選址,美國在列。這是迄今最明確的赴美建廠信號——背後是美國商務部長點名施壓、美光 2500 億美元擴產的步步緊逼。與此同時,海力士 CEO 警告 2027 年將現史上最嚴存儲荒,HBM 需求更是供不應求。這家市值 1.2 萬億美元的芯片巨頭,正站在全球產業版圖重構的風暴中心。
SK 集團會長崔泰源公開表態,正在全球範圍內為 SK 海力士物色存儲芯片生產基地選址,美國在列。這是迄今為止 SK 海力士對美國本土建設前端晶圓廠可能性最為明確的官方表態,也將外界對這家全球最大高帶寬存儲芯片(HBM)供應商的投資去向爭奪推向新的高潮。
崔泰源於當地時間 10 日在紐約接受 CNBC 採訪時表示,"我們目前不僅在美國,也在全球範圍內進行盡職調查,尋找合適地點。如果在美國找到合適位置,我們將進行投資。"他同時為美國建廠設定了明確條件:電力、純淨水源、土地、勞動力以及能夠支撐供應鏈的產業生態缺一不可。此番表態發生在美國商務部長 Howard Lutnick 公開施壓後僅一日——Lutnick 在密歇根美光半導體工廠活動上點名要求三星電子和 SK 海力士赴美建設生產設施。
這一表態令市場高度關注 SK 海力士最終的投資方向。與此同時,SK 海力士完成迄今為止外國企業在美最大規模首次公開募股,融資 265 億美元,市值突破 1.2 萬億美元,超越美光和 AMD。在供給短缺有望延續至 2030 年之後的判斷下,各方對這家"黃金母雞"的爭奪正在加劇。
美方壓力驟增,崔泰源首提美國建廠
美國政府推動本土存儲芯片產能擴張的意圖已明確無誤。Howard Lutnick 於 9 日出席美光在紐約克萊市新建晶圓廠奠基儀式時表示,"美光打響頭陣,競爭對手終將別無選擇,只能跟進。"同日,美光宣佈將 2035 年前的美國本土投資規模擴大至 2500 億美元,並計劃在美生產全球 40% 的 DRAM。這一計劃此前已兩度上調。
分析人士認為,美光擴產公告的時機——恰在 SK 海力士納斯達克上市前一日——是一則針對在 HBM 市場與美光競爭的韓國企業的明確信號。在特朗普政府實現全球 40% 半導體產能在美生產的目標框架下,三星電子和 SK 海力士被視為重點爭取對象。
崔泰源隨後對美國建廠表達了有條件的開放態度。他指出,除印第安納州在建的先進封裝基地之外,正就進一步投資進行審議,並明確表示建設存儲晶圓廠在條件具備的前提下是可能的。分析人士認為,美國政府在財税補貼之外,亦可能以半導體關税作為談判籌碼向全球芯片企業施壓。
三星電子和 SK 海力士目前均未就 Lutnick 的表態發表官方聲明,稱尚未收到美國政府的具體投資要求。但據業內人士透露,三星電子會長李在鎔、三星電子 DS 部門負責人全永鉉、SK 集團會長崔泰源以及 SK 海力士 CEO Kwak Noh-jung 眼下均身處美國,美方立場料已通過直接或間接渠道傳達至上述人士。
供給短缺判斷強化,CEO 預警 2027 年最嚴峻
SK 海力士 CEO Kwak Noh-jung 在納斯達克上市當日接受彭博和路透採訪時表示,"從供應端來看,明年將是行業史上最艱難的一年。"他同時指出,存儲供給短缺狀況有可能延續至 2030 年之後,並補充稱,客户之所以簽署長期供貨合同,正是因為他們同樣預期這一短缺局面將長期持續。
據彭博援引 Kwak 的表態,全球存儲行業正在走向有史以來最嚴峻的供給短缺,預計峯值出現在 2027 年。
市場研究機構 TrendForce 數據顯示,今年二季度通用 DRAM 和 NAND 閃存價格分別環比上漲 58% 至 63% 和 55% 至 60%;三季度預計繼續上漲,DRAM 漲幅 13% 至 18%,NAND 漲幅 10% 至 15%。KB 證券研究主管 Kim Dong-won 預計,2027 年存儲供給短缺將比 2026 年更為嚴峻——KB 證券數據顯示,屆時 DRAM 和 NAND 需求增速將分別達到 17% 和 19%,而晶圓產能增速預計僅為 7% 和 4%。
崔泰源亦對 HBM 需求降温的擔憂予以正面駁斥。他明確表示,"HBM 市場收縮的跡象根本不存在。"他還透露,客户不僅要求雙倍的 HBM 供貨量,連傳統 DRAM 的訂單量亦在翻倍要求中。據韓國媒體韓國經濟報道,客户甚至要求 SK 海力士將供應量擴大至現有水平的五至六倍。
本土鉅額投資已定,赴美建廠將面臨取捨
赴美建廠的可行性壓力,很大程度上來自 SK 海力士已鎖定的龐大國內投資計劃。
SK 海力士上月宣佈,將圍繞龍仁半導體集羣、清州及湖南地區,打造總規模達 1100 兆韓元的國內 AI 存儲生產帶,其中龍仁和湖南各投入 600 兆韓元和 400 兆韓元。三星電子亦分別在平澤 - 龍仁集羣和韓國西南地區規劃投資 2030 兆韓元和 400 兆韓元。兩家企業合計投資規模約達 4500 兆韓元(約合 3 萬億美元)。
相比之下,SK 海力士目前在美的唯一實質性投入,是位於印第安納州西拉法葉市、投資規模約 38.7 億美元的先進封裝基地,計劃 2028 年投產,負責 HBM 與 AI 加速器的互聯封裝。若在此基礎上再建前端晶圓廠,SK 海力士在美供應鏈將從封裝延伸至全棧生產,所需投入規模料以數十兆韓元計。
業內人士指出,美國建廠面臨成本高、生態薄弱等現實障礙——勞動力成本和建設成本遠高於韓國,材料、零部件及設備配套體系亦相對欠缺,同等規模工廠所需投入的成本和時間將顯著高於在韓建廠。在此背景下,本土與美國之間的有限投資資本分配之爭將趨於激烈。韓國業界正呼籲政府出台更明確的税收支持和補貼政策,以應對美國壓力。
AI 驅動的多元投資版圖
除存儲製造外,崔泰源還勾勒了 SK 集團在美 AI 產業的更宏觀投資圖景。他在納斯達克上市活動期間表示,預計在 AI、AI 數據中心、相關技術及初創企業方面的投資將達到"至少數百億美元",並正在探索與合作伙伴開展多種形式的 AI 業務合資合作,"預計大規模投資將很快落地"。
SK 海力士此前已於今年在美國成立 AI 解決方案公司(暫定名"AI Company"),據路透報道,SK 海力士亦在美承諾 100 億美元用於構建 AI 解決方案業務。
崔泰源還就此次納斯達克上市的戰略價值作出闡述,認為美國上市將有助於藉助股權激勵吸引全球頂尖人才,並指出隨着美國及全球股東大量湧入,建立新的公司治理架構的必要性正在上升。
SK 海力士今年一季度以 58.1% 的市佔率領跑全球 HBM 市場,超越三星電子和美光。據華爾街日報報道,其 ADR 上市首日收盤市值達 1.2 萬億美元,納斯達克上市融資規模 265 億美元亦創外國企業在美髮行紀錄。但彭博專欄文章亦指出,產能擴張並不必然轉化為股東回報,存儲行業的高度週期性意味着從峯值到谷底最短僅需兩年,投資者應保持審慎。
