Lenovo: Rising Memory Prices Are the "New Normal"; High DRAM and NAND Prices to Persist Beyond 2030

內存價格高企的時代或許不會結束。聯想在 ISC 2026 大會上發出警告：DRAM 和 NAND 閃存價格已進入結構性上漲週期，即便主要廠商持續擴產，價格也極難回落至 2025 年初水平，價格上漲最終將成為 2030 年及以後的 “新常態”。

聯想在大會演示中展示了 DRAM 和 NAND 產品的價格走勢圖。據其分析，儘管三星、SK 海力士、美光等主要內存廠商正加速新建產能，但擴產效果難以彌合供需缺口，預計價格長期居高不下。與此同時，美光已公開表示無法滿足包括戰略級客户在內的市場需求，三星和 SK 海力士亦發出類似信號，供應緊張局面短期內難以緩解。

這一判斷對整個消費電子產業鏈影響深遠。聯想預警，高內存成本將向下傳導至 PC、遊戲主機、智能手機及所有搭載內存或固態硬盤的終端產品，消費者未來十年將面臨持續的設備價格上漲壓力。

根據聯想在 ISC 2026 大會上呈現的數據，本輪內存價格的快速攀升始於 2025 年第三季度末至第四季度初。彼時，DRAM 和 NAND 價格開始脱離此前的週期性波動區間，加速上行至市場普遍未曾預期的高位。

聯想指出，儘管主要廠商正持續推進產能擴張、新建晶圓廠以應對供需失衡，但這些舉措對於壓低價格的實際效果極為有限。供需缺口的擴大速度已超出產能爬坡的節奏，價格迴歸 2025 年初水平的可能性正在下降。

值得注意的是，聯想演講者在大會上的相關評論帶有一定的玩笑性質，但其對 2030 年及以後高價格常態化的判斷，仍被視為一次正式的行業預警信號。

在主要內存廠商中，SK 海力士已宣佈將原定 2040 年以後實施的產能擴張路線圖大幅提前至 2030 年以後，預計在該時間節點前將內存產出增至現有水平的三倍。

然而，聯想與業內觀察人士均對這一擴產計劃能否真正緩解供需矛盾持保留態度。美光已明確表示，即便對戰略級重要客户，當前也無法足額供貨。三星和 SK 海力士的表態同樣悲觀，多家頭部廠商實際上正藉助這一供應緊缺週期獲取豐厚利潤。

在 AI 基礎設施需求持續爆發的背景下，高帶寬內存（HBM）及通用 DRAM 的需求增速依然強勁。擴產所帶來的新增供應量，能否匹配同期的需求增量，目前仍是未知數。

聯想的預警意味着，內存和固態硬盤的高價將在未來十年持續向終端產品傳導。PC、遊戲主機、智能手機及其他搭載存儲器件的消費電子產品，都將承受更高的物料成本壓力。

對於普通消費者而言，這意味着低價 PC 和入門級智能設備的時代可能正在遠去。企業端同樣難以倖免——服務器、數據中心基礎設施的採購成本將隨內存價格同步抬升，進一步推高 AI 及雲計算基礎設施的整體投資門檻。

聯想此次在 ISC 2026 大會上主動披露這一判斷，在業界被解讀為一份面向採購決策者和企業客户的前瞻性預算警示：高內存價格並非暫時性衝擊，而是需要納入長期成本規劃的結構性變量。