
Another South Korean Semiconductor Billionaire Emerges, This Time in Laser Technology
成圭棟,68 歲,持有伊歐激光 28% 股份,是最大股東,家族淨資產達 10 億美元。伊歐激光專注於生產存儲芯片的激光設備,預計 2025 年營收將增長 19%。分析師預測,隨着三星等公司增加產能,激光標記需求將上升,尤其是 AI 芯片的保護部件。成圭棟於 1989 年創立該公司,並於 2000 年上市。
現年 68 歲的成圭棟持有伊歐激光 28% 的股份,是這家在韓國科技股雲集的科斯達克證券交易所上市公司的最大股東。他的妻子鄭允慧(Chung Yoon-hye,音譯)和兩個兒子還合計持有近 2% 的股份。《福布斯》估計,截至上週五股市收盤,成圭棟及其家族的淨資產為 10 億美元。
伊歐激光總部位於首爾以南的安養市,製作用於生產存儲芯片的激光設備。其旗艦產品是芯片級打標機(CSM),可在芯片上蝕刻提供可追溯性的識別代碼,使製造商能夠快速隔離任何缺陷的源頭。2025 年,公司營收同比增長 19%,達 3810 億韓元(約合 2.53 億美元),同期淨利潤增長 35%,達 580 億韓元。
IM Securities 分析師宋明涉(Song Myung-sub,音譯)在上週的一份研究報告中預計,伊歐激光的 CSM 業務將在 2026 年穩步增長,主要推動因素是三星(Samsung)等存儲芯片公司新增了產能,以及 AI 芯片的保護屏蔽層和散熱部件對專業激光標記需求上升——這些部件可防止 AI 芯片干擾其他電子設備或發生過熱。
該公司的另一款主要產品是 LA(激光退火),它利用激光完成芯片內部電路通路的精加工(這一過程稱為摻雜劑激活),提供使其正常工作所需的目標熱量,同時不損壞存儲堆棧的其餘部分。宋明涉在報告中表示:“隨着 NAND 堆疊層數的增加,從明年起,公司激光退火設備帶來的益處預計會更加顯著。堆疊層數越高,產生的熱量就越多,因此可以預見,NAND 中的退火方式極有可能從整體熱處理方式轉向局部激光加工方式。”
成圭棟於 1989 年創立伊歐激光,並於 2000 年將其在韓國證券交易所上市。在創立伊歐激光之前,成圭棟曾就職於金星社(LG 電子前身)、大宇重工(大宇集團在 1999 年破產前的旗艦子公司)以及韓國激光公司(Korea Laser)——該公司是韓國工業激光技術的先驅。他擁有首爾大學的電氣工程學士和碩士學位。
成圭棟是韓國最新一位從半導體行業賺取財富的億萬富豪。韓國其他該領域的億萬富豪包括韓美半導體的郭東信——其公司製造用於生產高帶寬存儲芯片的設備;印刷電路板製造商 ISU Petasys 的金相範;以及 Leeno Industrial 的李彩允——其公司生產用於檢測芯片缺陷的半導體測試設備部件。
風險提示及免責條款
市場有風險,投資需謹慎。本文不構成個人投資建議,也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資,責任自負。
