Rumors of Memory Price Drops Inconsistent with Actual Supply! Transcend Chairman: Severe Memory Shortage Unlikely to Ease This Year

內存模組廠創見董事長束崇萬表示，當前 DRAM 與 NAND 閃存市場處於嚴重缺貨狀態，AI 需求激增是主因，預計今年內供應緊張局面難以緩解。

束崇萬週三在投資者交流會上指出，今年第二季 DDR5 價格較第一季上漲 40%-50%，且採購需求仍無法完全滿足。

他強調，市場傳言內存價格出現鬆動，與三星、美光等製造商的實際供應狀況不符，目前供給缺口大，客户幾乎每天都在催貨。

束崇萬明確表示，"DDR4 供給缺口越來越大，閃存供給缺口也肯定會越來越大"。面對供應短缺，創見已採取選擇性支持客户的策略，無法滿足所有客户需求。對於依賴內存模組供應的下游廠商而言，採購壓力將持續累積。

擴產難以短期兑現，供應端改善遙遙無期

儘管市場流傳部分供應商擴產的消息，束崇萬認為這不足以緩解近期供需矛盾。

他指出，三星、美光、海力士等主要 DRAM 廠商在未來一年內難以完成擴產，原因在於建廠週期較長——三星曾表示建廠至少需要兩年，而部分關鍵設備的訂單交貨週期已長達一年半。這意味着歐美製造商短期內增產的可能性極低。

對於中國內存廠商的擴產計劃，束崇萬表示，預計今年內難以實現，明年產能能否真正釋放，市場傳言眾多，但"真實性難以判斷"。他綜合供應商提供的信息判斷，今年 DRAM 與 NAND 閃存的缺貨狀況均難以改善。

AI 與邊緣計算疊加需求，內存爭奪全面升温

束崇萬將此輪極端缺貨的根本原因歸結於 AI 需求的急劇擴張。

他表示，AI 的崛起使得任何搭載 CPU 的設備都必然需要 DRAM 與閃存，同時邊緣 AI 與自動化設備也在爭奪內存資源，導致全面性的搶貨現象。他認為，DRAM 與閃存自去年 9 月起進入極端缺貨狀態，AI 需求是關鍵驅動因素。

工業自動化和嵌入式應用的內存需求也在逐步增加，進一步加劇供需矛盾。對於通過技術手段降低內存需求的可能性，束崇萬認為效果有限，並指出 HBF 技術的推出將增加而非取代對閃存的需求，且其應用場景與 HBM 不同。

MLC 產品供應收緊，創見提前完成最後採購

在 NAND 閃存產品結構方面，束崇萬披露，創見目前產品組合中 SLC 已無人使用，MLC 約佔 10%，TLC 約佔 90%。

值得關注的是，MLC 的主要供應商 Kioxia 與 SanDisk 已相繼宣佈退出或停產 MLC 產品，預計將使該細分市場供應更趨緊張。

對此，創見已提前應對。束崇萬表示，公司去年已針對工業應用的 MLC 產品完成"最後一次採購"，向三星、SanDisk 等製造商鎖定了足以滿足至今年底需求的庫存，確保現有客户供應不受影響。

堅守制造商直採模式，不參與現貨市場投機

在採購策略上，束崇萬強調，創見的經營模式幾乎只與製造商直接交易，不參與價格波動劇烈的現貨市場，以規避次級品、水貨及降級品的風險。

他指出，與製造商交易雖然價格同樣上漲，但供應更為穩定，且價格調整週期較長，為每月或每季度，而非每日波動。

束崇萬同時表示，公司與供應商簽有長期協議，但在極端缺貨環境下，即便如此也無法保證完全滿足供應。他明確表示不認同賺取投機性利潤，未來將持續專注於提升服務價值、生產效率和管理績效。

面對供應壓力，下游客户已普遍採取降規格應對策略，例如將 16GB 內存改為 8GB，或將 256GB 存儲縮減為 128GB，以控制採購成本。

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