Samsung, Micron, and Intel share the big orders from NVIDIA: Samsung is manufacturing LPU, Micron is mass-producing HBM4

英偉達 GTC 2026 大會不僅是一場產品發佈秀，更是一次供應鏈格局的重新洗牌。隨着英偉達下一代 AI 平台 Vera Rubin 的架構細節逐步落地，三星、美光、英特爾三大芯片巨頭在其中扮演的角色也隨之浮出水面。

據TrendForce 報道，在最受關注的供應鏈動態中，英偉達 CEO 黃仁勳首次公開確認，旗下 Groq 3 LPU 由三星代工生產；美光則宣佈 HBM4 已於 2026 年第一季度進入量產階段，打破此前被排除在 Vera Rubin 供應鏈之外的傳言。兩則消息直接牽動 HBM 市場的競爭格局與供應商議價能力。

與此同時，英特爾也在本次大會上坐實了與英偉達的合作關係，確認其 Xeon 6 處理器將為 DGX Rubin NVL8 系統提供算力支撐。更長遠來看，據 Wccftech 報道，英特爾有望以晶圓代工身份參與英偉達 2028 年推出的下一代 Feynman GPU 的封裝生產。

三星拿下 LPU 代工訂單，黃仁勳親口確認

Groq 3 是本屆 GTC 最受矚目的發佈之一。這款專為高速推理設計的 LPU 將被整合進 Vera Rubin 平台，計劃於 2026 年下半年開始出貨。據韓國《朝鮮日報》報道，黃仁勳在大會上首次公開確認，Groq 3 由三星晶圓代工廠負責生產，延續了英偉達去年以 200 億美元收購 Groq 之前，Groq 與三星之間已有的代工協議。

在技術層面，Groq 3 的設計邏輯與主流 AI 加速器存在顯著差異。據 Tom's Hardware 報道，每顆 Groq 3 LPU 內置 500MB SRAM——這是通常用於 CPU 和 GPU 緩存的超高速存儲器。

儘管這一容量遠小於 Rubin GPU 所配備的 288GB HBM4，但其帶寬高達約 150TB/s，遠超 HBM4 提供的 22TB/s。對於帶寬密集型 AI 推理解碼任務而言，這一設計有望大幅提升推理性能。

三星此番拿下代工訂單，意味着其在英偉達供應鏈中的角色從 HBM4 存儲供應商進一步延伸至邏輯芯片代工領域，在 Vera Rubin 平台上的戰略地位得到強化。

美光 HBM4 量產落地，SK 海力士壟斷溢價承壓

美光在本次大會上正式宣佈，36GB 12 層堆疊 HBM4 已於 2026 年第一季度開始為英偉達 Vera Rubin 平台量產供貨。該產品引腳速率超過 11 Gb/s，帶寬超過 2.8 TB/s，較 HBM3E 提升 2.3 倍，同時功耗效率提升逾 20%。此外，美光已開始向客户發送 48GB 16 層堆疊 HBM4 樣品，相較 12 層版本，單顆容量提升 33%。

這一進展的市場意義不僅在於美光自身的技術突破。據 Joseilbo.com 分析，美光的量產提速將降低 HBM 供應商集中度，在出貨量分配和價格談判上對現有供應商形成更大壓力。報道指出，此舉的核心影響並非直接蠶食 SK 海力士的市場份額，而是削弱 HBM 需求高峰期間形成的壟斷溢價。

三星同樣面臨更直接的競爭壓力。Joseilbo.com 指出，儘管三星已正式推進 HBM4 生產以彰顯技術實力，但美光為英偉達 Vera Rubin 平台提供大規模供貨，可能將行業競爭的評判標準從"能否量產"轉向"實際採用規模"，對三星構成新的挑戰。

英特爾雙線佈局，Feynman 封裝合作浮出水面

英特爾在本屆 GTC 的存在感同樣不容忽視。英特爾正式確認，其 Xeon 6 處理器將為英偉達 DGX Rubin NVL8 系統提供支撐。據 Tom's Hardware 報道，該產品相較上一代內存帶寬提升 2.3 倍，可為下一代 GPU 加速工作負載提供可擴展的高性能 AI 算力。

在更長遠的佈局上，據 Wccftech 報道，英偉達有意與英特爾在晶圓代工領域展開合作，藉助英特爾包括 EMIB 在內的先進封裝技術，為 2028 年亮相的 Feynman GPU 提供封裝支持。值得注意的是，Feynman GPU 的芯片本體預計採用台積電 1.6nm 工藝生產，英特爾的參與主要集中在封裝環節。

Feynman 平台還將引入 3D 芯片堆疊技術，這可能是英偉達首次在 GPU 產品上採用 3D 堆疊設計。在存儲方面，英偉達計劃為 Feynman 配備定製化 HBM，而非標準規格的下一代 HBM 產品，進一步強化其 AI 數據中心平台的差異化競爭優勢。