The price increase of storage chips may continue throughout the year, with the rise of the Chinese industry becoming a "deciding factor."

華爾街見聞
2026.02.25 00:01
portai
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當前 DRAM 與 NAND 庫存僅夠維持約 4 周,價格持續上漲已成定局。全球存儲市場在 AI 及算力發展推動下,預計 2026 年將持續漲價。SK 海力士表示,客户需求無法完全滿足,導致價格預期上升。中國存儲產業如長江存儲、長鑫科技等企業在技術和產能上持續突破,成為全球存儲格局的重要影響力。

當前 DRAM(動態隨機存取存儲器)與 NAND(閃存)庫存僅夠維持約 4 周,價格持續上漲已成定局……2026 年馬年春節剛過,全球存儲巨頭 SK 海力士的最新發聲,讓全球存儲市場的漲價潮再度升温。2 月 24 日,A 股存儲概念股持續走高,北京君正、太極實業、香農芯創等個股漲幅均超過 5%。

在 AI 及算力發展浪潮的驅動下,自 2025 年第三季度起,全球存儲市場迎來漲價行情。業內人士普遍預計,全球存儲芯片漲價將持續 2026 年一整年。

在產業高景氣背景下,中國存儲產業正加速突圍,長江存儲、長鑫科技等企業在技術、產能上持續突破,國產模組廠商同步發力,中國存儲力量的崛起正成為影響全球存儲格局、決定行業發展走向的 “勝負手”。

巨頭最新發聲:庫存僅剩約 4 周

2 月 20 日,SK 海力士舉行虛擬投資者會議,向高盛透露了最新的數據及對產業趨勢的研判。

SK 海力士表示,當前公司 DRAM 及 NAND 整體庫存僅剩約 4 周,處於歷史極低水平,從谷歌、微軟等雲廠商,到 OpenAI 等 AI 企業,再到消費電子終端廠商,所有客户均無法獲得足額供應,重複下單現象又進一步推高價格預期。

“今年沒有一家客户的需求能夠完全得到滿足。” SK 海力士在會上強調,受 AI 真實需求爆發及潔淨室空間受限等供給剛性約束影響,2026 年存儲芯片價格將持續上漲,漲勢貫穿全年已成定局。

為滿足 AI 帶動的高端存儲強勁需求,SK 海力士將產能向 HBM、DDR5 等高附加值產品傾斜,這也帶動標準存儲產品的供求緊張及漲價預期。SK 海力士透露,其 2026 年的 HBM 產能已提前售罄,標準型 DRAM 的極度短缺正大幅提升供應商議價權,公司正與主要客户討論多年期的長期合約,鎖定未來供應與價格。

NAND 的供應同樣緊張。早在 1 月,鎧俠就表示,其 2026 年的 NAND 閃存產能已全部售罄,並預計 NAND 供應緊張的局面將至少持續至 2027 年。

業績數據也印證了行業的高景氣度。SK 海力士 2025 財年營業收入達 97.15 萬億韓元,營業利潤為 47.21 萬億韓元,利潤率高達 49%,雙雙刷新歷史紀錄。其高業績增長,正是存儲價格持續上行與需求旺盛的直接體現。

超級景氣週期持續到何時

對於存儲供需失衡,SK 海力士給出兩方面原因:一是 AI 大模型與高效能運算對存儲器的真實需求持續井噴,遠超產業預期;二是存儲芯片製造所依賴的無塵室空間擴張緩慢,產能爬坡受限,導致供給增長無法匹配需求增長。

事實上,自 2025 年第二季度起,全球存儲行業景氣度開始觸底反彈,閃迪打響 NAND 漲價第一槍後,三星、美光及長江存儲、兆易創新等存儲廠商(包括 NAND、DRAM)紛紛跟進上調價格。

以 SK 海力士為例,其於 2025 年第三季度起對高端產品進行漲價,HBM3E 報價上調 15% 至 20%、DDR5 16Gb 顆粒單月漲幅達 102%;當年 11 月起對全品類 DRAM 漲價、NAND 閃存合約價同步上調 10% 至 15%。2026 年 1 月,SK 海力士對全品類存儲再度大幅漲價,漲幅 20% 至 60% 不等。

“存儲芯片繼續漲價是板上釘釘的事,今年可能會迎來價格最高點。” 某國產存儲芯片公司相關人士對記者表示,存儲價格上漲核心週期將持續至 2026 年底,產業高景氣度則至少延續至 2027 年;在 AI 帶動下,HBM 賽道要到 2028 年初才可能迎來價格拐點。

平安證券電子團隊認為,當前行業正面臨關鍵升級節點,海外 CSP(雲計算廠商)不斷加碼 AI 基礎設施建設,AI 訓練與推理規模擴大帶來絕對出貨量的增長;HBM、企業級 SSD 等高技術含量產品佔比提升,拉高了平均售價。考慮到當前 AI 持續高景氣,本輪存儲週期的強度和持續性有望超過上一輪。

中國存儲崛起成 “勝負手”

AI 浪潮引發的全球存儲芯片供應短缺,不僅引發產品持續漲價,還有望改變數十年來由美日韓廠商主導的全球供應鏈格局。

據報道,由於消費級存儲芯片持續漲價、供應緊張,為應對成本壓力,個人電腦(PC)製造商惠普、戴爾、宏碁與華碩等,正考慮在其產品中採用中國芯片製造商生產的存儲芯片。

儘管存在着認證週期長及不確定性等因素,但這被行業視為一個積極信號,意味着中國存儲芯片廠商正迎來融入全球產業供應鏈的難得機遇,將從 “備選項” 走向 “可選項”。

經過多年發展,中國存儲行業已經形成以長鑫科技 DRAM、長江存儲 NAND Flash 為大容量存儲芯片龍頭,以東芯股份利基型存儲、北京君正 SRAM(靜態隨機存取存儲器)存儲、兆易創新及普冉股份等中小容量閃存為補充的產業格局。

業界普遍預測,在資本市場的加持下,中國存儲芯片產能有望在 2026 年下半年至 2027 年逐步釋放,屆時將有效緩解全球存儲供給緊張局面,推動存儲價格趨穩甚至回落,成為本輪全球存儲芯片漲價潮的 “勝負手”。

值得關注的是,在預先審閲後,長鑫科技科創板 IPO 申請已於 2025 年 12 月 30 日獲得受理,公司計劃募資 295 億元,以滿足公司在 DRAM 行業進一步提升核心競爭力的需要。這將進一步助力中國存儲產業崛起。

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