Storage giant's quarterly report "Five Key Points": Current cycle strength surpasses the 2017-18 "cloud boom cycle"

華爾街見聞
2026.02.16 06:18
portai
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美銀美林指出,SK 海力士庫存週轉天數降至 127 天的低位,成品庫存僅剩 2-3 周。三星 DRAM 售價環比大漲 40%,現貨價格創 25 年新高。行業高管認為,本輪週期強度已超越 2017-18 年的雲繁榮期,若短缺持續至 2027 年,價格仍有上漲空間。

隨着存儲巨頭們四季度財報的披露,一個清晰的信號正在釋放:存儲行業不僅走出了低谷,更在 AI 浪潮的推動下,開啓了一輪強度罕見的 “超級週期”。

據追風交易台消息,本週,美銀美林團隊總結了存儲巨頭財報電話會議的精華,並結合韓國半導體展(Semicon Korea)的一線見聞,指出當前市場正處於庫存極低、價格飆升且資本開支大幅擴張的強勁上升期。

財報季 “五大關鍵信號”

美銀美林分析師 Simon Woo 團隊在研報中提煉了存儲企業四季度財報的五個核心信號,這些信號直接指向了供需關係的根本性逆轉。

首先,庫存水平已經降至 “警戒線” 以下。 以 SK 海力士為例,其庫存週轉天數已從 2023 年一季度的 233 天峯值,大幅下降至僅 127 天。更驚人的是,成品存儲模組的庫存僅能維持 2-3 周,而正常水平通常在 10 周以上。這意味着,一旦需求稍有波動,供應鏈將面臨極大的缺貨壓力。

其次,產品平均售價(ASP)正在經歷 “暴力” 修復。 三星電子的 DRAM 平均售價環比暴漲 40%,SK 海力士的 NAND 售價也環比上漲了 32%。這種漲幅在成熟的半導體週期中並不多見。

第三,巨頭們正在瘋狂 “燒錢” 擴產。 面對 AI 帶來的 HBM(高帶寬內存)需求井噴,廠商們開啓了激進的資本開支計劃。SK 海力士的資本開支從 2024 年四季度的 7 萬億韓元,預計將激增至 2025 年三季度的 12 萬億韓元。

第四,HBM4 量產執行力超預期。 三星和 SK 海力士在下一代 HBM4 的量產和出貨方面進展順利,這直接決定了未來在 AI 算力市場的份額。

最後,行業對未來的指引極度樂觀。 這種樂觀不僅針對 2026 年一季度,更指向長期的 “存儲超級週期”。南亞科技(Nanya Tech)總裁更是直言不諱地指出:

“由於 AI 的驅動,當前的週期比 2017-18 年的雲服務器繁榮週期要好得多。”

他進一步解釋道,與高度定製化的晶圓代工不同,存儲器仍被視為大宗商品(遵循 JEDEC 標準),這意味着如果短缺持續到 2027 年,價格還有進一步上漲的空間。

美銀的 “存儲指標”(Memory Indicator)也佐證了這一點。該指標在 12 月已回升至 124 的 “上行週期” 水平,而 2025 年上半年的平均值僅為 103。

現貨市場:價格高企,出口數據強勁

儘管近期 DRAM 現貨價格保持穩定,但這建立在已經大幅上漲的基礎之上。

目前,主流的 16Gb DDR5 現貨價格維持在 38 美元的歷史高位,同比漲幅高達 709%;16Gb DDR4 價格更是達到 78 美元,同比暴漲 2445%。美銀美林指出,DRAM 價格已觸及過去 25 年來的最高水平,遠超 2017 年 10 月上一輪週期頂峯時的 10 美元區間。

雖然部分 OEM 廠商暗示,由於存儲成本激增或短缺,低端智能手機、平板和 PC 的組裝線出現了暫時停工,但這並未阻擋整體出貨的強勁勢頭。

數據不會説謊。台灣地區 1 月份的銷售數據表現強勁,南亞科技、威剛(ADATA)、創見(Transcend)和羣聯(Phison)等廠商的月度銷售額環比增長超過 20%,同比更是翻倍。韓國 2 月前 10 天的半導體出口額也同比激增 138%。

值得注意的是,SSD(固態硬盤)產品價格本週大幅上漲,周環比漲幅達 40%,月環比漲幅達 60%,這反映出市場對下半年可能出現的短缺感到擔憂。

韓國半導體展見聞:設備商的 “盛宴”

美銀美林團隊實地探訪了在首爾舉辦的韓國半導體展(Semicon Korea),現場的火爆程度印證了行業的景氣度。

參展的設備供應商透露了幾個關鍵信息:

  1. 巨頭不僅是客户,更是 “金主”: 三星和 SK 海力士創紀錄的資本開支,讓設備商們賺得盆滿缽滿。

  2. HBM 生產極其耗時: HBM 的製造週期很長,特別是熱壓鍵合(TCB)環節。一台機器每天只能處理幾片晶圓,因此要維持 5 萬到 10 萬片/月的產能,需要超過 100 台 TCB 設備。

  3. 技術路線的博弈: HBM 混合鍵合(Hybrid Bonding)技術的採用可能會推遲,即使是 16 層或 20 層的 HBM,廠商仍傾向於使用 NCF(非導電薄膜)或 MR-MUF(大規模回流模塑底部填充)技術。

  4. 後端設備訂單波動大但前景好: 雖然目前後端設備訂單較弱,但隨着 HBM4 產能爬坡以及未來 HBM4e 的推出,預計下半年或 2027 年將迎來複蘇。

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