Navi Microelectronics' stock price soars! Progress made in power device research and development will empower NVIDIA's 800V power architecture

智通財經 APP 獲悉，納微半導體 (NVTS.US) 宣佈在研發先進的 800 伏直流 (800 VDC) 氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件方面取得進展，以支持英偉達 (NVIDIA) 最新發布的用於下一代人工智能 (AI) 計算平台的 800 高壓直流 (HVDC) 架構。受此消息提振，納微半導體週一美股收漲 21.14%，盤後再漲超 30%。

數據顯示，納微半導體股價在過去六個月內狂飆逾 350%。今年 5 月，5 月 21 日，納微半導體公司宣佈與英偉達合作開發下一代 800 伏高壓直流 (HVDC) 架構，為包括 Rubin Ultra 在內的 GPU 提供支持的 “Kyber” 機架級系統供電。納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術將在這一合作中發揮關鍵作用。

據悉，新的電源架構旨在解決 AI 工廠 (即專為大規模人工智能與高性能計算負載而設計的數據中心) 中的電力分配挑戰。傳統的機架內 54 伏電源分配已無法滿足多兆瓦級機櫃的功率密度需求。憑藉流動比率高達 8.23、債務股權比僅為 0.02 的強勁資產負債表，納微半導體在為其技術進步項目提供資金方面處於有利地位。

根據該公司新聞稿，這種 800 伏直流配電系統可在數據中心內實現從公用電力到 800 伏直流的直接轉換，從而消除多個傳統轉換階段。這種方法旨在最大化能效、減少能量損耗，並提升系統可靠性。

納微半導體推出了一款專為 GPU 電源板上低電壓 DC-DC 轉換階段設計的新型 100 伏 GaN 場效應晶體管 (FET) 產品組合。該公司表示，這些元件通過與 Power Chip 的戰略合作，在 200 毫米 GaN-on-Si 工藝上製造。此外，納微半導體還提供 650 伏 GaN 產品和高壓 SiC MOSFET，用於支持數據中心基礎設施中不同階段的電力轉換。

納微半導體總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 在聲明中表示：“隨着英偉達引領 AI 基礎設施的變革，我們很自豪能以先進的 GaN 和 SiC 電源解決方案支持這一轉型，為下一代數據中心提供所需的高效性、可擴展性和可靠性。”

該公司將其技術定位為支持現代 AI 數據中心從 “電網到 GPU” 的全鏈路電力系統，為包括英偉達 Rubin Ultra 在內的先進計算平台提供高壓配電與負載端轉換的整體解決方案。

此外，納微半導體宣佈管理層變動，Chris Allexandre 將於 2025 年 9 月 1 日正式接任公司總裁兼首席執行官，接替聯合創始人 Gene Sheridan。在此背景下，Rosenblatt 維持對納微半導體的 “買入” 評級，但將目標價下調至 8.00 美元，理由是儘管該公司季度業績符合預期，但未來指引低於市場一致預期。