Nvidia Greenlights Samsung's AI Chip Technology, Sets Stage For HBM4 Battle: Report

三星電子 SSNLF 據報道已獲得 英偉達 NVDA 對其最新高帶寬內存 (HBM3E) 產品的批准，這標誌着在人工智能硬件芯片供應競爭中的重大突破。

三星獲得英偉達對 HBM3E 內存芯片的認可

根據知情人士的消息，三星的第五代 12 層 HBM3E 產品已通過英偉達的資格測試，KED Global 週五報道。這一批准是在經歷了一年半的開發和多次未能滿足英偉達嚴格性能標準的嘗試後獲得的。

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這一批准對三星來説是一個重要的里程碑，象徵着其在競爭激烈的半導體行業中技術信譽的恢復。HBM3E 芯片預計將用於英偉達的旗艦 B300 AI 加速器和 超威半導體公司 (AMD) 的 MI350。

三星的股票在週一的韓國股市中上漲了近 5%。

儘管獲得批准，供應仍將有限

英偉達的批准對三星來説是一個重要的勝利，標誌着其在競爭激烈的半導體行業中的迴歸。考慮到人工智能硬件日益重要，這一發展尤其引人注目，因為它推動了對高容量內存芯片的需求。

儘管三星已獲得批准，但其向英偉達供應 HBM3E 芯片的數量預計仍將有限，因為它是繼 SK 海力士和 美光科技 MU 之後第三家獲得許可的公司。

競爭正在轉向 HBM4，預計將在明年與英偉達的下一代 Vera Rubin 芯片一起推出，英偉達正在推動供應商將速度從當前的 8 Gbps 標準提高到超過 10 Gbps。

英偉達擴大其合作伙伴基礎

英偉達對三星 HBM3E 芯片的驗證恰逢該公司正在擴大其客户基礎和合作夥伴關係，尤其是在最近在中國的芯片禁令之後。

英偉達與 英特爾 INTC 之間的半導體合作關係可能對雙方都有利，但英偉達被視為這一合作的明顯贏家。這一驗證可能進一步鞏固英偉達在市場中的地位。

Benzinga 的邊緣排名將英偉達的質量評定為第 93 百分位，增長評定為第 98 百分位，反映出其在這兩個領域的強勁表現。在這裏查看詳細報告。

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