
"Adding fuel to the fire"! Reports indicate that Samsung has significantly raised memory and flash prices by up to 30%

三星大幅上調內存和閃存產品價格,DRAM 產品漲幅高達 30%,NAND 閃存價格上漲 5-10%,原因是供應緊張和雲端企業需求激增。美光和閃迪等此前也宣佈類似漲價措施,其中美光漲幅達 20-30% 並暫停接受新訂單。
繼大摩等看好傳統存儲前景後,內存巨頭集體宣佈漲價!
週一,三星大幅上調內存和閃存產品價格,DRAM 產品漲幅高達 30%,NAND 閃存價格上漲 5-10%,原因是供應緊張和雲端企業需求激增。美光和閃迪等競爭對手同時宣佈類似漲價措施,其中美光漲幅達 20-30% 並暫停接受新訂單。
據韓國媒體 Newdaily 報道,三星將 LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X 內存產品價格上調 30%,eMMC 和 UFC 等 NAND 閃存產品價格上漲 5-10%。供應緊張主要源於老產品減產和大型雲服務商需求增長。
此輪漲價反映出內存行業正經歷結構性轉變。廠商將重心轉向 AI PC 和下一代智能手機等新興市場,導致傳統產品供應收縮。摩根士丹利預計,隨着 HBM 市場競爭加劇,傳統 DRAM 和 NAND 產品有望在 2026 年迎來更可持續增長。
行業巨頭集體漲價
三星並非獨自行動。美光已通知客户價格將上漲 20-30%,同時暫停接受新訂單。閃迪宣佈 NAND 閃存產品漲價 10%。這表明整個內存行業正面臨供需失衡壓力。
供應緊張的根本原因在於產業重心轉移。隨着 AI PC 和新一代智能手機採用 LPDDR5/X 標準,廠商減少了老產品生產,但新標準產能尚未跟上需求增長。DDR4 內存價格已暴漲 50%,使 DDR5 成為更具成本效益的 PC 解決方案。
內存價格上漲將直接影響消費電子和企業採購成本。三星作為全球最大內存廠商之一,其定價策略通常引領行業走向,市場擔憂供應緊張可能持續至 2025 年。
HBM 需求擠壓傳統產品供應
高帶寬內存(HBM)需求激增成為推高價格的關鍵因素。各大 DRAM 廠商紛紛轉向 AI 賽道,優先為英偉達、AMD 等 AI 加速器供應最新產品。這種優先級調整導致消費級 DRAM 供應更加緊張。
三星目前佔據 32.7% 的 DRAM 市場份額和 32.9% 的 NAND 市場份額。公司正努力獲得英偉達支持以推廣其 HBM 產品,同時加速 LPDDR6 DRAM 開發,首批設計預計今年晚些時候推出。
此前摩根士丹利在研報中表示,HBM"溢價神話"面臨挑戰,2026 年將出現激烈競爭和定價壓力。在美聯儲降息預期和宏觀環境改善背景下,市場資金正從 AI 驅動的 HBM 轉向傳統存儲板塊,大摩特別看好傳統 DRAM 的投資價值。
DRAM 和 NAND 的供需結構趨緊,似乎增強了漲價的必要性。花旗集團預測,明年 DRAM 和 NAND 閃存的供應將分別短缺 1.8% 和 4%。摩根士丹利也預測,明年 NAND 的供應將短缺高達 8%。
