Korean chips, a change is coming

華爾街見聞
2024.11.01 05:54
portai
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韓國半導體行業在 9 月出現 14 個月來的首次產量下降,產量下滑 3%,出貨量增幅也顯著放緩。與此同時,SK 海力士的利潤首次超越三星,標誌着全球半導體競爭格局的重大轉變。三星電子的半導體部門營業利潤低於預期,而 SK 海力士在第三季度實現了 7.03 萬億韓元的營業利潤,創下新高。

根據彭博社引述韓國政府統計局週四發佈的數據顯示,9 月份,全國半導體產量下滑 3%,與上月增長 11% 相比出現大幅逆轉。出貨量增幅也從 8 月份的 17% 放緩至 0.7%。這是韓國芯片產量 14 個月來首次下降。考慮到他們在芯片行業的特殊位置,這帶來了不好的一個信號。

不過,我們也必須看到,庫存水平表明庫存仍在快速消耗,9 月份庫存較上年同期下降了 41.5%。這些數據表明,隨着對內存芯片的需求見頂,該行業可能正在逐漸降温。

報道指出,半導體是韓國出口和經濟增長的最大推動力。韓國央行也密切關注半導體的表現,該行於本月初通過下調基準利率開始調整政策。一些經濟學家預計,如果明年經濟增長勢頭放緩幅度超過預期,寬鬆週期將會加速。

在韓國芯片整體變動的同時,韓國芯片內部也發生了一種新的變化,那種SK 海力士利潤首次超越三星,這也是韓國半導體的另一個信號。

SK 海力士,首次超越三星

據韓媒 Businesskorea 透露,三星電子的半導體業務部門的年度營業利潤將首次落後於 SK 海力士。這一發展標誌着全球半導體行業競爭格局的重大轉變,三星在該行業傳統上佔據主導地位。

昨日,三星電子公佈了今年第三季度的確認業績。三星電子設備解決方案(DS)部門的銷售額為 29.27 萬億韓元,營業利潤為 3.86 萬億韓元。這一數字低於證券市場的預期,此前預計營業利潤將在 4 萬億韓元左右。相比之下,SK 海力士僅第三季度就實現營業利潤 7.03 萬億韓元,超越了此前 2018 年第三季度創下的最大季度業績記錄。

截至今年上半年,三星電子 DS 部門的營業利潤略領先於 SK 海力士,分別為 8.36 萬億韓元和 8.3545 萬億韓元。但第三季度差距大幅拉大,導致 SK 海力士半導體業務累計營業利潤達到 15.3845 萬億韓元,比三星電子的 12.22 萬億韓元高出逾 3 萬億韓元。

三星電子 DS 部門負責人 Kyung Kye-hyun 承認該公司業績不佳。“由於業績未達到市場預期,我們引發了對我們基本技術競爭力和公司未來的擔憂,” 他在 10 月 17 日表示。8、臨時業績公告後立即進行。他補充道,“我們將恢復我們技術的根本競爭力。”

第三季度,三星電子擴大了高帶寬內存(HBM)、DDR 5 和服務器固態硬盤(SSD)等高附加值產品的銷售,以滿足人工智能和服務器的需求。內存扇區。HBM 銷售額的增長尤為顯着,較上一季度增長超過 70%。DDR5 銷量增長了 10%,服務器 SSD 銷量增長了 30%。因此,DRAM 和 NAND 閃存的平均售價 (ASP) 較上一季度出現高個位數增長。

儘管做出了這些努力,但由於激勵條款和美元疲軟的外匯影響等一次性成本,利潤有所下降。儘管系統 LSI 最大限度地提高了銷售額並最大限度地減少了庫存,但由於一次性成本增加,系統 LSI 也面臨性能不佳的問題。代工領域,手機和 PC 需求復甦弱於預期,一次性成本進一步影響業績,導致業績較上一季度較差。

但如開頭所説,三星在韓國的多年競爭對手 SK 海力士在週三公佈了一份亮麗的財報。按他們所説, 2024 年第三季度錄得了公司成立以來最高營收的業績。

據介紹,公司三季度收入總計 17.6 萬億韓元(127 億美元),同比增長 94%。營業利潤為 7 萬億韓元(50 億美元),而去年同期的虧損僅為 1.8 萬億韓元(13 億美元)。淨利潤為 5.8 萬億韓元(42 億美元),利潤率為 33%。

這三個值均被譽為 “新紀錄”。

該公司將創紀錄的業績歸功於數據中心客户對 AI 內存產品的持續需求,其高帶寬內存 (HBM) 的銷量較上一季度增長 70% 以上,較 2023 年第三季度增長 330%。HBM 的銷售額約佔本季度 DRAM 總收入的 30%。

DRAM 和 NAND 內存產品的平均售價也有所上漲,進一步推動了 SK Hynix 本季度營業利潤的增長。該公司進一步指出,AI 服務器對內存的需求不斷增長,預計這一趨勢將持續到 2025 年。

兩大巨頭,怎麼看?

針對這個現狀,三星芯片部門負責人在 10 月 8 日全永鉉在發佈初步盈利預測後罕見地公開道歉。他説:“我們的業績未能達到市場預期,這引起了人們的擔憂。” 他發誓要克服這場 “危機”,“恢復技術競爭力,而不是尋求短期解決方案”。

在發佈財報的時候,三星電子方面表示,“由於人工智能相關的數據中心投資,預計對大容量和高性能產品的內存需求將會增加,我們計劃擴大先進工藝的比例。” 該公司補充道:“我們將進一步擴大 HBM3E 銷售,明年下半年開發並量產 HBM4,並積極擴大高規格產品的銷售,例如用於服務器的 128GB 或更高 DDR5 以及用於移動、PC、和服務器。”

展望未來,三星電子計劃在第四季度量產並銷售 HBM3E 8 層和 12 層產品。HBM4 產品目前正在開發中,預計明年下半年量產。該公司還計劃通過加速向 1b 納米的過渡,利用 32 Gb DDR5 來滿足大容量服務器的需求。在 NAND 領域,三星的目標是擴大基於 V-NAND 的 PCIe 5.0 的銷售,並通過大容量四級單元(QLC)的量產銷售來鞏固市場領導地位。

來到 SK 海力士方面,據報道,他們計劃專注於增加基於 AI 存儲技術的高附加值產品的銷量。上個月開始量產的 HBM3E 12 層產品將於第四季度如期供貨。

SK 海力士副總裁兼首席財務官 Kim Woo-hyun 表示:“通過今年第三季度取得的最高管理業績,我們鞏固了 ‘全球第一人工智能存儲器公司’ 的地位。” 他補充道,“我們將靈活管理我們的產品和供應策略,以滿足市場需求,確保穩定的銷售,並最大限度地提高盈利能力。”

在財報電話會議上,Kim Mohan 表示,儘管生產能力已達到極限,但公司今年的 HBM 產能仍有望較去年翻一番。

這一承諾必定會讓 Nvidia 感到高興,因為它已向投資者承諾將持續增加 GPU 產量。

他還否認了如此急於滿足需求可能造成供應過剩的説法。

Mohan 表示:“與一般 DRAM 不同,HBM 具有長期合同結構,2025 年的產量和價格談判已經完成。我們對需求有很高的預見性,鑑於對 AI 芯片的強勁需求,我們相信 HBM 的需求將高於目前的預期。”

至於個人電腦和移動產品,該公司承認,與人工智能服務器內存相比,需求恢復緩慢,但隨着人工智能內存針對單個設備進行優化,預計明年需求將穩步增長。

然而,Mohan 表示,該細分市場以及傳統市場的新進入者正在造成價格波動。他對 DDR4 和 HBM 或 LPDDR5 等傳統產品進行了區分,並表示該公司預計其混合平均銷售價格 “將因 HBM 等高價值產品的份額不斷增加而繼續改善”。

HBM,競爭關鍵

如果去很多文章中所説,三星之所以會在整個市場中舉步維艱,是因為他們錯失了 AI 的機會。在 HBM 的競爭中敗給 SK Hynix,是存儲巨頭形成當前局面的根源。日前有報道也指出,自 7 月 9 日以來,該公司股價已下跌 32%,市值損失達 1220 億美元,是全球芯片製造商中損失最為慘重的。

但在屢遭挫折之後,三星似乎迎來了好消息。

三星執行副總裁 Jaejune Kim 表示,雖然其 HBM3E 芯片的商業化之前曾被推遲,但該公司在與主要客户的測試中取得了 “重大進展”,據推測該客户是 Nvidia。報道指出,英偉達佔據全球 AI 芯片市場約 80% 的份額,這一因素如果得到證實,可能會大幅提升三星 HBM 的銷量。

Kim 補充道,三星預計第四季度 HBM3E 銷量將會改善,並計劃擴大到更多客户。三星的聲明引發了人們對 HBM 芯片市場可能出現供應過剩的擔憂,從而給 SK 海力士和美光等其他半導體公司的股價帶來壓力。

為了更好地與 SK 海力士競爭。在今年九月,有消息指出,三星電子將和台積電攜手,在 HBM 領域上進行合作,共同開發 HBM 的技術和服務,預計將從無緩衝 HBM4 芯片開始,計劃 2025 年下半年量產,三星並打算藉由雙方合作,為英偉達、Google 等客户供應 “客製化芯片與服務”。

分析人士表示,若三星、台積電決定共同合作開發無緩衝 HBM4 芯片,將是 2 家公司在 AI 芯片領域首次合作。台積電生態系與聯盟管理主管 Dan Kochpatcharin 更是直言,隨着存儲製程愈來愈複雜,跟夥伴的合作,變得比以往任何時候都更加重要

至於 SK 海力士,據介紹,該公司正在繼續將產能從現有的 HBM3 產品向八層 HBM3E 產品轉型,並將於第四季度開始供應 12 層 HBM3E 產品。屆時,SK 海力士預計 HBM 銷售額(第三季度佔 SK 海力士 DRAM 總收入的 30%)將在第四季度達到 40%。

該公司表示,第五代 HBM3E 產品的出貨量在七月至九月期間超過了上一代 HBM3 芯片的出貨量。

此外,該公司還補充道,最新的 12 層 HBM3E 芯片的出貨量預計將佔到明年上半年公司 HBM 產品總出貨量的一半以上。

SK 海力士還指出,對 AI 芯片的需求將持續增長,消除了對 HBM 產品需求可能下降的擔憂。

SK 海力士在財報電話會議上表示:“現在談論人工智能芯片需求放緩還為時過早,因為我們預計未來對計算能力和計算資源的需求會更高。”

對於下一代的 HBM,SK hynix 副總裁 Kim Chun-hwan 在一個月前的 SEMICON Korea 2024 上發表主題演講時透露,該公司打算在 2026 年之前開始量產 HBM 4,並聲稱這將推動人工智能市場的巨大增長。

寫在最後

其實 HBM 遠不能解析兩者當前的現狀。

如有媒體在描述三星現狀時就直言,內存芯片業務曾經是三星電子最可靠、最賺錢的業務,但現在也岌岌可危。三星電子確實未能在以高帶寬內存 (HBM) 為代表的高端 AI 內存芯片領域佔據領先地位,而在傳統芯片或不太先進的內存芯片領域,中國公司也在追趕它。對於三星來説,晶圓代工和 LSI,也是影響他們未來發展的另外兩個因素。

SK 海力士則相對簡單點,只需要應對存儲市場帶來的不確定性。

隨着半導體行業的不斷發展,三星電子和 SK 海力士之間的競爭依然激烈。兩家公司都在快速變化的技術環境中努力創新並佔領市場份額。未來幾個季度對於決定三星是否能夠重新獲得領先地位,或者 SK 海力士是否會繼續超越半導體領域的競爭對手至關重要。

本文作者:半導體行業觀察,來源:半導體行業觀察,原文標題:《韓國芯片,變天了》