良率超中國台灣廠，台積電亞利桑那工廠進展比想象好

台積電美國工廠試產良率趕超台灣本廠。

週五，據彭博社援引知情人士消息，台積電美國分部總裁 Rick Cassidy 於週三透露，台積電亞利桑那工廠的試產良率已超出其中國台灣同級廠房約 4 個百分點。

良率指生產芯片中合格產品的比例，是半導體行業的關鍵衡量標準之一。一般來説，良率越高，生產率越高。

在上週的財報電話會上，台積電董事長魏哲家曾表示：

“我們（在美國）的第一座晶圓廠已於 4 月開始採用 4nm 製程技術進行工程晶圓生產，結果非常令人滿意，良率非常高。”

根據規劃，台積電將在美國亞利桑那州鳳凰城建設三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是 4nm 製程晶圓廠，晶圓二廠則是 3nm 晶圓廠，三廠則預計在本世紀 20 年代底（2029-2030 年）採用 2nm 或更先進的製程技術進行生產。

台積電原計劃在 2024 年讓其首座亞利桑那州工廠全面投產，但由於缺乏熟練工人，將這一目標推遲到了 2025 年，並將二廠的啓動日期從 2026 年推遲至 2027-2028 年。這一舉措曾引發對台積電美國工廠生產效率的擔憂。

目前，魏哲家對美國工廠前景持樂觀態度，他在上週的電話會上表示：

“我們現在預計第一家工廠將於 2025 年初開始量產，並有信心讓亞利桑那州工廠實現與台灣廠相同水平的製造質量和可靠性。”