Samsung is collaborating with Taiwan Semiconductor to develop HBM4
三星與台積電正在聯手開發無緩衝高帶寬內存（HBM4），以滿足英偉達和谷歌等客户對定製芯片和服務的需求。HBM4 的能效將比現有型號提高 40%，延遲降低 10%。儘管在邏輯製程代工方面競爭，三星希望藉助台積電的技術吸引更多客户，意在反擊 SK 海力士的市場領先地位。
9 月 9 日消息，據《韓國經濟日報》報道，台積電生態系統和聯盟管理負責人 Dan Kochpatcharin 上週在 Semicon Taiwan 2024 論壇上表示，三星和台積電正在聯手生產無緩衝高帶寬內存（HBM）。
報道稱，三星與台積電的合作將提供 英偉達（Nvidia）和谷歌（Google）等客户要求的 “定製芯片和服務”。
與現有型號相比，無緩衝 HBM4 的能效將提高 40%，延遲可降低 10%。HBM 已被廣泛用於 AI 計算。
雖然在邏輯製程代工方面，三星是台積電的競爭對手，但台積電並不生產 DRAM。然而，在 AI 處理器協作中採用多晶粒封裝或者所謂的 “Chiplet” 小芯片先進封裝的情況正在增加，其中就包括 HBM。
並且當 HBM 進入到新一代的 HBM4 時，會採用基於邏輯製程的基礎芯片，使得客户可以加入自己的 IP，以實現定製化，提升 HBM 的效率。而對於該邏輯製程的基礎芯片，三星和 SK 海力士都將允許客户自行設計，並可選擇外部的邏輯製程晶圓代工廠來生產。
消息人士也表示，雖然三星能夠提供全面的 HBM4 製造服務，包括內存生產、（邏輯製程基礎芯片）代工和先進封裝，但它希望利用台積電的技術來獲得更多客户。
此舉是三星可能將是試圖反擊競爭對手 SK 海力士的一個舉措，後者以 53% 的標價成為領先的 HBM 供應商，而三星只有 35%。
值得注意的是，SK 海力士、三星和美光都在推出 HBM3E DRAM，並計劃在 2025 年推出 HBM4 格式。SK 海力士最近宣佈，它打算開發下一代 HBM，性能將是當前產品的 20-30 倍，並可提供客户定製的產品。
本文作者：芯智訊，來源：芯智訊，原文標題：《三星正與台積電聯手開發 HBM4》
