2nm GAA 以及 1.4nm 皆在筹备中！ 三星芯片宏图重磅出炉 向台积电发起最强挑战

智通财经 APP 获悉，韩国存储芯片巨头三星电子 (Samsung Electronics) 公布了一系列将陆续推出的全新芯片技术路线图，旨在强化 HBM 市场份额以及吸引全球顶级人工智能芯片公司将三星列为 “首选 AI 芯片代工厂商”，试图向有着 “全球芯片代工之王” 称号的台积电发起代工领域最强有力的冲击，目前英伟达、AMD 等芯片巨头的 AI 芯片产能几乎全线集中于台积电。芯片技术路线图显示，三星计划在即将推出的 2nm 制程上提供 GAA先进制程技术，在当日确认其 1.4nm 级别芯片制程的准备工作进展顺利，高性能和产量目标有望在 2027 年大规模生产。

虽然三星当前仍然是全球最大规模的存储芯片制造商，但它一直试图在芯片代工市场赶上竞争对手台积电 (TSM.US)。芯片合约代工市场主要是指由台积电等代工厂 (Foundry) 生产无晶圆厂的芯片设计企业 (Fabless)，比如英伟达、AMD、博通以及苹果公司所设计出的高性能 AI 芯片。

从更精确的定义来说，三星隶属于 IDM 模式的芯片公司，这类模式的企业拥有芯片设计、芯片制造、芯片封测这三大核心能力，也是全球芯片产业链中，技术门槛最高、资金消耗最大、风险系数最高的芯片企业，而三星和英特尔就是全球最顶尖的 IDM 芯片企业。台积电主要负责芯片代工这一核心环节，在芯片产业链中属于 Foundry 模式。

在美东时间周三，三星在其位于加州圣何塞的美国芯片总部举行的年度晶圆代工论坛上，公布了其最新的芯片代工制造路线图，并概述了其对人工智能时代的诸多愿景与展望。

在短期内挑战台积电的代工领导者地位可能非常困难

市场研究机构 TrendForce 的最新数据显示，今年第一季度，三星在芯片代工市场的份额从上一季度的 11.3% 意外下滑至 11%，而台积电的芯片代工份额则从同期的 61.2% 超预期上升至 61.7%。

在人工智能高性能计算系统所需芯片组件的无比强劲需求推动之下，这家韩国芯片制造商的盈利正呈现积极复苏态势。全球企业布局 AI 的热潮大幅提振了其主要的存储芯片部门，也为其赢得大型芯片代工合约提供了机会。

三星是全球最大规模的 DRAM 与 NAND 存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达 HBM 以及更新一代的 HBM3E 供应商之一。三星在 DDR 系列存储芯片领域 (如 DDR4、DDR5) 以及 SSD 等存储细分领域，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商。不同于 HBM 大规模应用于 AI 数据中心，DDR 系列存储主要用于 PC 系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR(Low Power DDR) 系列则应用于智能手机端。

然而，三星必须证明其产品足够先进和可靠，才能吸引英伟达 (NVDA.US) 等要求极度苛刻的大客户做出更大的芯片代工承诺。台积电当前处于全球人工智能和芯片制造热潮最核心，作为全球 AI 芯片霸主英伟达高性能 AI 芯片的全球唯一代工厂，可谓以一己之力卡着英伟达产能。

台积电目前仍然是苹果公司、英伟达、AMD 以及博通等无晶圆 (Fabless) 芯片设计公司最核心的芯片制造商，尤其是为英伟达以及 AMD 所代工的数据中心服务器端 AI 芯片，被认为对驱动 ChatGPT 等生成式 AI 工具背后庞大的人工智能训练/推理系统最为关键的硬件基础设施，且没有之一。

此外，三星还面临着来自英特尔 (INTC.US) 的芯片代工挑战压力，后者正在不断开设大型芯片代工厂以加速进军代工领域，试图从竞争对手英伟达以及 AMD 等芯片公司赢得芯片带动订单。

2nm GAA 以及 1.4nm 先进制程正在积极筹备中

芯片生产技术的进步，通常以晶体管尺寸越来越小为重要标志，有助于提高电子元件的核心性能。向更小尺寸的竞争以及掌握 GAA 技术可能是三星赢得人工智能处理器大订单的关键，人工智能处理器是目前使用的一些性能最高、价格最高的 4nm 以及 5nm 先进制程芯片，未来有望集中采用 3nm 甚至 2nm 及以下制程。

三星推出的先进工艺采用了所谓的 “背面电力输送网络技术”，该新型技术将电源轨置于硅晶圆的背面。该公司表示，与第一代 2nm 先进制程工艺相比，这种技术提高了功率、性能和面积，同时显著降低了电压降区。

三星高管们还强调道，该公司提供逻辑芯片、HBM 存储系统以及 chiplet 先进封装等方面的综合能力，将有助于它在赢得人工智能相关芯片的外包制造大订单方面取得非常快速的进展。

三星在当天预测，到 2028 年，预计该公司的人工智能芯片相关客户将增加 5 倍，相关销售额则有望大幅增加 9 倍。该公司宣布了几种新型生产技术和未来人工智能相关芯片的最新布局，称这将有助于赢得更多客户。

三星高管拒绝就向英伟达供应最新 HBM 存储系统的最新进展置评，也拒绝回应有关三星尚未获得英伟达 HBM 供应资质的媒体报道。

三星还加大力度宣传了其全环绕栅极晶体管 (GAA) 芯片制造技术，这是 AI 芯片迈入 2nm 及以下制程的关键技术。三星计划在今年下半年量产第二代 3nm 制程，并在即将推出的 2nm 制程上提供 GAA 先进制程技术。据悉，三星此前于 2022 年在业界率先开始了基于 GAA 技术的 3nm 大规模量产芯片。此外，该芯片制造商在当日确认其 1.4nm 级别芯片制程的准备工作进展顺利，高性能和产量目标有望在 2027 年大规模生产。