存儲器大戰：NAND 閃存和 DRAM
存儲器巨頭正聚焦於 NAND 閃存堆疊層的突破，以及 DRAM 先進製程節點和 3D DRAM 技術。三星預計將於本月量產第 9 代 NAND 閃存，層數將達到 290 層，展望未來計劃研發 1000 層 NAND 閃存。美光已完成試產下一代 1γ DRAM，並計劃利用 EUV 技術開始大規模生產 1c 納米 DRAM。三星計劃在 2025 年邁入 3D DRAM 時代，已展示了垂直通道晶體管和堆疊式 DRAM 技術。SK 海力士正在研發以 IGZO 為溝道材料的新一代 3D DRAM。
受人工智能和大數據驅動，數據存儲的需求激增，對存儲技術的先進性提出了更高要求。
在此背景下，存儲器巨頭之間的技術競爭日趨白熱化。
NAND 閃存
主要廠商正聚焦於堆疊層的突破。
近期，《韓國經濟日報》報道稱，三星預計將於本月晚些時候量產第 9 代 NAND 閃存（V-NAND）。該公司在 2022 年已經實現了 236 層的第 8 代 V-NAND 閃存的規模化生產。即將推出的第 9 代 V-NAND 閃存仍將採用雙層 NAND 閃存堆疊結構，層數將達到290 層。業界預測，三星未來的第 10 代 V-NAND 預計將達到430 層，屆時將轉向 3 層堆疊結構。
展望未來，三星和鎧俠（Kioxia）均已公佈其研發1000 層 NAND 閃存的計劃。三星的目標是在 2030 年之前研發 1000 層 NAND 閃存，鎧俠則計劃在 2031 年之前量產超過 1000 層的 3D NAND 閃存芯片。
DRAM
存儲器巨頭們正聚焦於先進製程節點和 3D DRAM 技術。
2024 年 3 月，美光（Micron）在其財報中披露，目前大部分 DRAM 芯片都處於 1α和 1β的先進節點，下一代1γ DRAM將引入 EUV 光刻機，並已完成試產。
三星的 DRAM 芯片技術處於 1b 納米級別，近期報告表明，該公司計劃在今年內利用 EUV 技術開始大規模生產 1c 納米 DRAM。同時，三星也將在 2025 年邁入 3D DRAM 時代。該公司已經展示了兩種3D DRAM技術：垂直通道晶體管和堆疊式 DRAM。
SK 海力士也在積極研發 3D DRAM。去年，BusinessKorea 報道稱，SK 海力士提出將 IGZO 作為新一代 3D DRAM 的溝道材料。根據業界消息來源，IGZO 是一種由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料。其最大的優勢在於待機功耗低，非常適合需要長壽命的 DRAM 晶體管。這一特性可以通過調整 In（銦）、Ga（鎵）和 ZnO（氧化鋅）的成分比例來很容易實現。
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Source:TrendForce; Intensifying Battle of Technology Among Storage Giants; April 16, 2024
本文作者：常華 Andy，來源：Andy730，原文標題：《存儲器大戰：NAND 閃存和 DRAM》
